從理論上來(lái)講，雙向可控硅(可控硅開(kāi)關(guān))可以說(shuō)是有兩個(gè)反向并列的單向可控硅組成，理解單向可控硅的工作原理是理解雙向可控硅工作原理的基礎(chǔ)

單向可控硅



單向可控硅也叫晶閘管，其組成結(jié)構(gòu)圖如圖1-a所示，可以分割成四個(gè)硅區(qū)P、N、P、N和A、K、G三個(gè)接線(xiàn)極。把圖一按圖1-b 所示切成兩半，就很容易理解成如圖1-c所示由一個(gè)PNP三極管和一個(gè)NPN三極管為主組成一個(gè)單向可控硅管。


在圖1-c的基礎(chǔ)上接通電源控制電路如圖2所示，當(dāng)陽(yáng)極-陰極（A-K）接上正向電壓V后，只要柵極G接通觸發(fā)電源Vg，三極管Q2就會(huì)正向?qū)?，開(kāi)通瞬間Q1只是類(lèi)似于接在Q1集電極的一個(gè)負(fù)載與電源正極接通，隨后Q1也在Q2的拉電流下導(dǎo)通，此時(shí)由于C被充電，即便斷開(kāi)G極的觸發(fā)電源Vg，Q1和Q2在相互作用下仍能維持導(dǎo)通狀態(tài)，只有當(dāng)電源電壓V變得相當(dāng)小之后Q1和Q2才會(huì)再次截止。

雙向可控硅
　　相比于單向可控硅，雙向可控硅在原理上最大的區(qū)別就是能雙向?qū)?，不再有?yáng)極陰極之分，取而代之以T1和T2，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖3-a所示，如果不考慮G級(jí)的不同，把它分割成圖3-b所示，可以看出相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向并聯(lián)而成[1-2]，如圖3-c所示連接。



當(dāng)T1與T2之間接通電源后，給G極正向觸發(fā)信號(hào)（相對(duì)于T1、T2所接電源負(fù)極而言），其工作原理如前面單向可控硅完全相同。當(dāng)G極接負(fù)觸發(fā)信號(hào)時(shí)，其工作過(guò)原理如圖4所示，此時(shí)Q3的基極B和發(fā)射極E處于正偏電壓而致使Q3導(dǎo)通，繼而Q1導(dǎo)通給電容C充電后致Q2導(dǎo)通并保持導(dǎo)通狀態(tài)。

雙向可控硅的主要特點(diǎn)
　　雙向可控硅的英文簡(jiǎn)稱(chēng)TRIC是英文Triad AC semiconductor switch的縮寫(xiě)，其意思是三端交流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，目前主要用于對(duì)交流電源的控制，主要特點(diǎn)表現(xiàn)在能在四個(gè)象限來(lái)使可控硅觸發(fā)導(dǎo)通和保持導(dǎo)通，直到所接電源撤出或反向[6][7]。
　　第一象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負(fù)極，G觸發(fā)信號(hào)Vg的正。
　　第二象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負(fù)極，G觸發(fā)信號(hào)Vg的負(fù)。
　　第三、四象限是T1接電源V的正極T2接電源V的負(fù)極，G觸發(fā)信號(hào)分別接Vg的正、負(fù)極。