歡迎您來到希拓電氣官網(wǎng)!

承接可控硅開關(guān)OEM/ODM

電能質(zhì)量解決方案專業(yè)提供商

售前咨詢熱線:

0519-85112622

行業(yè)新聞

首頁 > 新聞資訊 > 行業(yè)新聞

無功補(bǔ)償柜選用晶閘管投切開關(guān)的3大原因

來源:希拓電氣(常州)有限公司    日期:2019-12-27    瀏覽量:載入中...

   在無功功率電容補(bǔ)償中,總歸是離不開電容投切元件的。至于為何現(xiàn)在更多的人愿意選擇晶閘管(可控硅)投切開關(guān)的原因,我們用接觸器來做個比較會更容易理解。


1、接觸器的投切特點(diǎn)

 接觸器投切過程中,電容器的初始電壓為零,觸點(diǎn)閉合瞬間,絕大多數(shù)情況下電網(wǎng)電壓不為零、有事可能處在高峰值,(極少為零),因而產(chǎn)生非常的電流,也就是常說的合閘涌流。實(shí)驗(yàn)表明合閘涌流嚴(yán)重時可達(dá)電容器額定電流的50倍。這不僅影響電容器和接觸器的使用壽命,而且對電網(wǎng)造成沖擊,影響其它設(shè)備的正常工作。 因此,后來采用加入限流電阻來控制合閘涌流即:電容投切專用接觸器。這雖然可以控制涌流在額定電流的20倍以內(nèi),但從長期運(yùn)行情況來看,其事故率仍然很高,維護(hù)費(fèi)用較高。


2. 晶閘管開關(guān)投切特點(diǎn)

 晶閘管投切電容器,是利用了電子開關(guān)反應(yīng)速度快的特點(diǎn)。采用過零出發(fā)電路,,檢測當(dāng)施加到可控硅兩端電壓為零時,發(fā)出觸發(fā)信號,可控硅導(dǎo)通。此時電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等,因此不會產(chǎn)生合閘涌流,解決了接觸器合閘涌流的問題。


晶閘管開關(guān)特點(diǎn):

1)反應(yīng)時間快:10毫秒以內(nèi)

2)使能控制:dvdt>5000V/Us無誤導(dǎo)通

3)導(dǎo)通電壓低:低于8V(常規(guī)30V)

4)無浪涌、無觸點(diǎn)、使用壽命長、免維護(hù)


晶閘管開關(guān)時波形圖如下:

 


3. 可控硅代替交流接觸器
      通過對兩者的分別介紹我們可以知道,盡管交流接觸器制造技術(shù)和結(jié)構(gòu)不斷地更新?lián)Q代,但主觸點(diǎn)的打弧損壞問題仍沒有得到徹底解決,特別是頻繁開停車的設(shè)備,交流接觸器觸點(diǎn)打弧損壞危害極大。為此,利用可控硅新技術(shù)代替這種動合動斷式的交流接觸器,效果顯著。

可控硅在變流技術(shù)上應(yīng)用極為普遍。用可控硅代替交流接觸器的基本思維方法是利用可控硅單向?qū)щ姷奶匦裕瑢?shí)現(xiàn)交流通斷控制。

1. 對主回路而言,這種控制方式是一種軟通斷方式,它可成功地解決觸點(diǎn)打弧問題,同時也消除了噪音問題,幾乎可以做到免維護(hù)。

2. 對于可控硅的選擇無特殊要求,一般情況下,額定電流取電動機(jī)的額定電流2~3倍,電壓取800V以上即可。為了保護(hù)可控硅,可采用RC阻容吸收電路,并聯(lián)在可控硅上,同時應(yīng)注意可控硅的散熱問題。
      3. 該控制方式,因沒有采用移相控制技術(shù),對電網(wǎng)基本上沒有污染。如果采用移相控制技術(shù),可實(shí)現(xiàn)設(shè)備的軟啟動,從而減少對設(shè)備和電網(wǎng)的沖擊。


 好啦,對于兩種投切方式的介紹就掉這里了,請根據(jù)自身實(shí)際情況選擇更加適合您的開關(guān)哦~~但需注意的是,無論是那種開關(guān),在檢修時切記將主電源切斷,安全才是第一生產(chǎn)力,請將安全第一放心間。



2i+keUp9/tRma+e9MPrdZU+L5UOhcZo8RdUrGWqR8xgbe44CR3EV/Nzu8Xn8NPz2O1Atzf61lsZba0UkQE5bqwf1pL0UqxSgSts0Gzxj/MbmcoNGBHnmWd/h16Fm3b54mhzPRaGo063AXE4TE0KMJZQ0hwkwkPqeDmj7YKiOEmYaFqjN+l6lJOL+pQlE2Ybnm3FvVjSjEdl1+zsPAdi6VgDDTwd2o0gD