許多電弧爐和中頻爐一樣，都使用可控硅整流作為前置電源，而整流使得電流和電壓波形嚴重畸變，產(chǎn)生諧波，諧波的危害涉及到很多相關(guān)設(shè)備。

      由于諧波的存在，帶可控硅整流裝置的電弧爐、中頻爐如使用傳統(tǒng)的電容器作為補償揹施，都無一例外地產(chǎn)生諧振，而諧振產(chǎn)生的過電流通常達到額定電流的5至10倍，普通的開關(guān)根本來不及動作就直接燒壞電容器、接觸器和熔斷器等。所以這些企業(yè)要么花費大量資金安裝消諧裝置，要么就干脆不安裝補償裝置。

      中頻爐、電弧爐的客戶中有可控硅動態(tài)無功補償裝置成功應(yīng)用的案例，自投運以來，各項指標均屬正常。用戶現(xiàn)有250kg中頻臺，變壓器容為315kVA，低壓額定電流為455A，平時工作電流為500A，自然功率因數(shù)不足0.8。該企業(yè)為了改善功率因數(shù)，從某廠家購買了臺150kvar的普通電容器無功補償裝置，在很短的時間內(nèi)，該裝置內(nèi)部設(shè)備幾乎全部燒毀。究其原因，是由于中頻爐產(chǎn)生的諧波引起諧振，諧振產(chǎn)生的達到額定電流的幾倍到10倍的過電流通過電容造成。為了徹底解決問題、該企業(yè)購買了一臺相同的可控硅動態(tài)無功補償裝置、自從安裝使用以來，運行正常，確保功因數(shù)達到0.95以上。

      希拓電氣晶閘管投切模塊技術(shù)源自德國，我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進制造工藝的基礎(chǔ)上，研制出了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護電路，智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，真正實現(xiàn)投切無涌流，跟隨速度快，有效補償沖擊性負荷，平均響應(yīng)時間小于15ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。