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可控硅投切電容補(bǔ)償

來源:希拓電氣(上海)有限公司    日期:2019-04-11    瀏覽量:載入中...

       電壓是衡量供電質(zhì)量的主要指標(biāo)之一,假設(shè)電路的功率和電壓都是同端,且功率使用三相功率,則電壓電力系統(tǒng)的電力壓降示意圖可使用如圖1所示。

       電壓是衡量供電質(zhì)量的主要指標(biāo)之一,假設(shè)電路的功率和電壓都是同端,且功率使用三相功率,則電壓電力系統(tǒng)的電力壓降示意圖可使用如圖1所示。

       無功功率的平衡與電力系統(tǒng)的運(yùn)行電壓水平密切相關(guān)。由于在通常的計(jì)算中,電壓損耗壓降與電壓降落的縱向分量在數(shù)值上很接近,一般使用電壓降的縱分向分量近似表示為電壓損耗壓降。

       因此,當(dāng)系統(tǒng)有功功率定時(shí),系統(tǒng)的無功電源比較充足,則系統(tǒng)的運(yùn)行電壓水平就高;反之,無功不足就反映為電壓水平偏低。從改善電壓質(zhì)量和降低網(wǎng)絡(luò)功耗考慮,應(yīng)該盡量減少通過電網(wǎng)元件長距離和跨電壓級傳送無功功率,負(fù)載所需的無功功率應(yīng)該盡量做到就地供應(yīng)。

       通過改變并聯(lián)電容器的容量來改變無功功率,是當(dāng)前無功補(bǔ)償最基本和被普遍采用的經(jīng)濟(jì)有效的方法。無功補(bǔ)償裝置中最主要的元件就是電容器和電容器投切開關(guān),而電容器投切的性能直接影響到電容器的使用壽命及補(bǔ)償效果,所以電容器投切開關(guān)的投切方法和控制性能至關(guān)重要。

晶閘管投切模塊(三相)

希拓電氣晶閘管投切模塊(三相)技術(shù)源自德國,我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎(chǔ)上,研制出了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管,觸發(fā)電路,吸收電路,保護(hù)電路,智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過零觸發(fā),電流過零斷開,真正實(shí)現(xiàn)投切無涌流,跟隨速度快,有效補(bǔ)償沖擊性負(fù)荷,平均響應(yīng)時(shí)間小于18ms,很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。

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